大国小鲜第2期：专访“欧盟外长”哈维尔·索拉纳
全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一项非易失性存储领域的重大创新。该创新利用X-FAB同类最佳的SONOS技术：基于其高压BCD-on-SOI XT011这一110nm工艺节点平台，X-FAB可为客户提供符合AECQ100 Grade-0标准的32kByte容量嵌入式闪存IP，并配备额外的4Kbit EEPROM。此外，从2025年起，X-FAB还计划推出更大容量的64KByte、128KByte闪存以及更大存储空间的EEPRO
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X-FAB BCD-on-SOI 嵌入式数据存储
晶相光电 JX-K302P 是一款全新四百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。该技术能够明显提升近红外灵敏度，实现优异的图像质量。通过BSI NIR+技术，安防监控摄像头可以使用较少的红外LED灯，并在低光源和近红外条件下仍能获得高质量的图像。搭配不同平台SOC，可适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。?场景应用图?产品实体图?展示板照片?方案方块图SOI-SOI?核心技术优势1. SOI JX-K30
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晶像光电 SOI JX-K302P 物联网感测器
晶相光电 JX-F355P 是一款全新2百万分辨率 CMOS 图像传感器，提供了背照式+近红外线(BSI/NIR)技术。可搭配不同平台SOC，适用于安防监控、车载高清、USB摄影机、打猎相机、红外夜视仪、运动摄影机和物联网 AI 相机等领域。?场景应用图SOI-SOI?产品实体图SOI-SOI?展示板照片SOI-SOISOI-SOI?方案方块图SOI-SOI?核心技术优势1. SOI JX-F355P BSI NIR+ 近红外线加强 像素技术，可为在低光或无光环境中运行的应用提供新的可能性，同时降低总功耗
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晶像光电 SOI JX-F355P 物联网感测器
意法半导体(ST)宣布基于 18 纳米全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI) 技术并整合嵌入式相变存储器 (ePCM)的先进制造工艺，支持下一代嵌入式处理器升级进化，并将此技术应用在通用32位MCU市场领先的STM32系列MCU产品。
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意法半导体 MCU FD-SOI STM32
受到美国政府的干扰，中国半导体产业发展遇到了诸多困难，同时也给原来没有得到足够关注的技术或企业提供了很好的发展机遇，SOI（绝缘体上硅）制程工艺就是其中之一。2019 年之前，当先进制程工艺演进到 10nm 时，当时昂贵的价格，以及漏电流带来的功耗水平偏高问题，一直是业界关注的难题，SOI 正是看到了 FinFET 的这些缺点，才引起人们关注的，它最大的特点就是成本可控，且漏电流非常小，功耗低。在实际应用中，SOI 主要分为 FD-SOI（全耗尽型绝缘体上硅）和 RF-SOI（射频绝缘体上硅）。FD-SO
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SOI
混合动力汽车 (HEV) 和全电动汽车 (EV) 设计如今广受关注，一个重要的技术趋势正悄然影响着汽车行业——汽车动力系统中的 48V 直流 (DC) 总线系统。48V 系统不仅适用于全电动汽车和混合动力汽车，它还适用于更常见的内燃机汽车。汽车应用 48V 电网48V 系统有何独特之处？与在常规的供电条件下一样，48V 系统归根到底仍然遵循欧姆定律和基础物理学规律，与电势差 (V = IR)、电功率 (P = IV) 及功率损耗 (P = I2R) 相关。供电仍需要电流与电压的结合，但电势差（损耗）随电流
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Power-SOI Soitec
中国北京，2025-08-04——全球公认的卓越的模拟/混合信号晶圆代工厂X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成为业界首家推出110纳米BCD-on-SOI解决方案的代工厂，由此加强了其在BCD-on-SOI技术领域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平台反映了模拟应用中对更高数字集成和处理能力日益增长的需求。其将SOI和DTI极具吸引力的特性结合在一起，因此与传统Bulk BCD工艺相比，高密度数字逻辑和模拟功能可以更容易地集成至单个芯片。X-F
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X-FAB 110纳米 BCD-on-SOI
过去十年，天线调谐技术领域发生了巨大变化。天线变得更小、性能更强，能处理更多的射频信号。这些发展的核心是绝缘硅片 (SOI) 技术——它提供的调谐能力提高了设计灵活性，并大幅改善了性能。复杂射频世界中的器件性能有时候，科技似乎在飞速发展，日新月异——产品变得越来越小，处理速度越来越快，我们的世界刹那间便不同以往。移动设备的天线也是如此。支持许多频段的更小移动设备使得天线更加复杂。对于工程师而言，这种复杂性也是需要攻克的障碍。与此同时，技术开发工程师每推出一代新技术，都会做出渐进式改进，通过这种持续改善来帮
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Qorvo SOI
致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下友尚推出基于晶视智能（CVITEK）CV1821芯片和晶相光电（SOI）JX-K06图像传感器的网络摄像机（IPC）方案。图示1-大联大友尚基于CVITEK和SOI产品的IPC方案的展示板图近年来，消费电子、物联网、工业互联网、智能家居、智慧城市的发展，推动了智能监控技术的革新，也驱动了IPC（网络摄像机）的需求。相比于传统摄像机，IPC不仅能够提供更高清晰度的视频效果，还具有网络输出接口，可直接将摄像机接入本地局域网。这些特性使其
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大联大友尚 CVITEK SOI 网络摄像机
意法半导体(ST)和GlobalFoundries (GF)刚刚签署了一份谅解备忘录，将在意法半导体位于法国Crolles的现有晶圆厂旁边新建一座联合运营的300毫米半导体晶圆厂。新工厂将支持多种半导体技术和工艺节点，包括FD-SOI。ST和GF预计，该晶圆厂将于2024年开始生产芯片，到2026年将达到满负荷生产，每年生产多达62万片300毫米晶圆。法国东南部的Crolles，距离意大利边境不远，长期以来一直是FD-SOI发展的温床。从许多方面来看，FD-SOI是一种技术含量较低的方法，可以实现FinF
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FD-SOI GAAFET FinFET
·????? 随着世界经济向数字化和脱碳转型，新的高产能联营晶圆厂将更好满足欧洲和全球客户需求·????? 新工厂将支持各种制造技术，包括格芯排名前列的 FDX? 技术和意法半导体针对汽车、工业、物联网和通信基础设施等应用开发的节点低至18纳米的全面技术·????? 预计该项合作投资金额达数十亿欧元，其中包括来自法国政府的大笔财政支持?2022 年
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意法半导体 12英寸 晶圆厂 FD-SOI
CEA、Soitec、格芯（GlobalFoundries）和意法半导体宣布一项新合作协议，四家公司计划联合制定产业之下一代FD-SOI技术发展规划。半导体组件和FD-SOI技术创新对法国和欧盟以及全球客户具有策略价值。FD-SOI能够为设计人员和客户系统带来巨大益处，包括更低功耗以及易于整合更多功能，例如，通讯联机和安全保护，这对汽车、物联网和行动应用而言，其优势是FD-SOI技术的一个重要特质。CEA主席Francois Jacq表示，二十多年来，在Grenoble-Crolles生态系统中，CEA一
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CEA Soitec 格芯 意法半导体 FD-SOI
介绍了一种田字形单质量块三轴电容式微加速度计的设计与仿真。该加速度计以SOI晶圆作为基片，经过氧化、光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等工艺步骤得到。通过支撑梁和3个轴的敏感结构的巧妙设计，有效避免了平面内和垂直方向的交叉轴干扰的影响，并提高了Z轴的灵敏度。通过差分电容的设计，理论上消除了交叉轴干扰。通过仿真得到了该加速度计在3个轴向上的灵敏度及抗冲击能力。结合理论分析和ANSYS仿真结果，可以得出结论：所设计的加速度计拥有较低的交叉轴干扰、较高的灵敏度以及较强的抗冲击能力，在惯性传感器领域有一定的应用前景。
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微加速度计 SOI 交叉轴干扰 灵敏度
作为一家设计和生产创新性半导体材料的技术领导企业，来自于法国的Soitec以提供高性能超薄半导体晶圆衬底材料来助力整个信息产业的创新，通过不断革新更优化的制造材料，确保半导体芯片能够以更高性能和更好的稳定性提供服务。特别是伴随着5G技术的不断推进，基于RF-SOI的衬底在确保5G智能手机用芯片的性能方面起到了至关重要的作用，可以说Soitec的技术是促进5G智能手机快速普及的幕后英雄之一。 当然，“幕后英雄”也因为其先进的技术获得企业的飞速发展，Soitec全球战略执行副总裁Thomas PILISZCZ
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Soitec RF-SOI FD-SOI
全球领先的半导体晶圆代工厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）于2月24日宣布已和全球前三大硅晶圆制造商环球晶圆（Globalwafers.Co.,Ltd）签订合作备忘录(MOU)，协议表明环球晶圆将负责对格芯12英寸晶圆的长期供应。 环球晶圆是全球领先的8英寸SOI制造者之一，也是格芯8英寸SOI晶圆的长期供应商，双方长期保持着良好的合作关系。环球晶圆也是12英寸晶圆制造商，基于双方未来发展与稳定供应需求，环球晶圆与格芯有望紧密协作，有力扩大环球晶圆12英寸SOI晶圆生产产能。 格
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硅晶圆 SOI
soi介绍
SOI（Silicon-On-Insulator，绝缘衬底上的硅）技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。通过在绝缘体上形成半导体薄膜，SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SO [
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